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Mosfet トランジスタ ヒートシンク

MOSFETトランジスタヒートシンクは、MOSFETトランジスタによって生成された熱を放散するために使用されるデバイスです。 MOSFET トランジスタは、スイッチング速度が速く、消費電力が低く、効率が高いため、電子デバイスで広く使用されています。

  • 製品説明
製品仕様書

 

MOSFETトランジスタヒートシンクは、MOSFETトランジスタによって生成された熱を放散するために使用されるデバイスです。 MOSFET トランジスタは、スイッチング速度が速く、消費電力が低く、効率が高いため、電子デバイスで広く使用されています。

 

Mosfet Transistor Heat Sink 7

 

設計パラメータ

 

寸法: 21x15x11mm
素材:アルミニウム
カラー:シルバー
タイプ: TO 220 ヒートシンク
重量:3.5g/個
このヒートシンクは 21x15x11mm で、多用途でコンパクトなデザインです。
注:必要なサイズをカスタマイズできます

 

製品 Mosfet トランジスタ ヒートシンク
材料 アロイ 6000 シリーズ
気性 T3-T8
テクノロジー アルミ押出
表面処理 ミル仕上げ、陽極酸化、粉体塗装、サンドブラスト、電気泳動など。
銀色の白、黒、暗い青銅、または要件に応じて
設計能力

設計・開発部門のデザイナー10名

オートCAD、3D、AI、SLD、PRT、IGS、PDF、JPEGなど

通常の陽極酸化厚さ 8-12マイクロ
通常のパワーコーティングの厚さ 60-100マイクロ
正方形、円形、平ら、または顧客の図面によると
長さ 輸出標準長さは5.8m
ディーププロセッシング 切断、穴あけ、打ち抜き、曲げなど

 

 

 

特徴

 

MOSFETトランジスタヒートシンクの特徴は次のとおりです。

1. 効率的な熱放散: MOSFET トランジスタ ヒートシンクは、MOSFET トランジスタによって生成された熱を効率的に放散するように設計されています。

2. 高い熱伝導率: MOSFET トランジスタのヒートシンクは、熱伝達を最大化するために熱伝導率の高い材料で作られています。

3. 取り付けが簡単: MOSFET トランジスタ ヒートシンクは取り付けが簡単で、ネジまたは熱接着剤を使用して MOSFET トランジスタに取り付けることができます。

4. コンパクトサイズ: MOSFET トランジスタヒートシンクは、サイズがコンパクトになるように設計されているため、小型電子機器での使用に適しています。

 

 

生産工程

 

MOSFET トランジスタ ヒートシンクの製造プロセスには、次の手順が含まれます。

 

1. 材料の選択: MOSFET トランジスタ ヒートシンクの製造に使用される材料は、熱伝導率と機械的特性に基づいて選択されます。

2. 設計: MOSFET トランジスタ ヒートシンクの設計は、CAD ソフトウェアを使用して作成されます。

3. 製造: MOSFET トランジスタ ヒートシンクは、鋳造、鍛造、フライス加工、押し出しなどのプロセスを組み合わせて製造されます。

4.表面処理:MOSFETトランジスタヒートシンクの表面は、熱伝導率と耐食性を高めるために処理されています。

5. 品質管理: MOSFET トランジスタ ヒートシンクは一連の品質管理テストを受け、必要な基準を満たしていることを確認します。

 

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